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有关台积电2纳米工艺中心技术材料走漏事情，台湾地区高级检察署已依法对三名涉案嫌疑人提起公诉。
据联合新闻网9月1日报导，台湾检方日前以涉嫌违背有关规定法令申述三名台积电工程师陈力铭、吴秉骏和戈一平，并主张量刑为7至14年。现在，此案已移送至台湾地区知识产权法院审理，三人此前已被拘押。
台湾检方指控，陈力铭曾在台积电12厂良率部分担任工程师，离任后进入台积电半导体制作设备供货商东京电子公司（TEL）行销部分作业，理应熟知台积电中心技术的信息维护的办法及供货商保密约好。
因而，台湾检方以为陈力铭知法犯法。自上一年下半年至本年上半年期间，陈力铭为帮忙新雇主日本东京电子公司（TEL），屡次使用其与台积电在职职工吴秉骏、戈一平等人的旧识联系，要求对方供给台积电的中心技术材料。陈力铭将相关材料拍照并仿制后，传送给东京电子，用于改善该公司的蚀刻机设备。
台积电在发现涉案职工对中心材料有反常触摸后，当即打开内部查询并报案。在经过一系列剖析相关电子记载及证物后，台湾检方确定三人触及盗取“中心要害技术”，极度影响台半导体工业在国际市场的竞赛位置，因而提起公诉并主张依法重刑处理。
现在，全球仅有台积电、三星、Rapidus和英特尔四家企业继续投入2纳米制程开发。据此前报导，台积电泄漏，其2纳米制程研制已进入要害阶段，估计最快将于2025年下半年发动量产。